半導体デバイスの物理
１．はじめに
２．整流現象の発見
３．ｐｎ接合の電位分布
４．ｐｎ接合における電子、正孔濃度
５．ｐｎ接合を流れる電流
６．バイポーラトランジスタで増幅が起きる条件
７．バイポーラトランジスタを流れる電流（理論式）
８．バイポーラトランジスタを流れる電流（数値例）
９．電流増幅率
１０．バイポーラトランジスタを用いた増幅回路
１１．金属－半導体接触
１２．ショットキー障壁
１３．熱電子放出理論
１４．ショットキー障壁の高さ
１５．金属－絶縁体－半導体構造の電荷分布
１６．金属－絶縁体－半導体構造の容量－電圧特性（その１）
１７．金属－絶縁体－半導体構造の容量－電圧特性（その２）
１８．ＩＧＦＥＴのドレイン電流特性
１９．ＩＧＦＥＴによる増幅
２０．量子井戸
２１．量子障壁
２２．まとめ
