電界効果トランジスタ（１）絶縁ゲート型
１．はじめに
２．絶縁ゲート電界効果トランジスタとは
３．ＩＧＦＥＴの基本構造と動作
４．電界効果
５．ＩＧＦＥＴの動作特性（ゲート電圧－ドレイン電流特性）
６．ＩＧＦＥＴの動作特性（ソース－ドレイン間電流特性）
７．半導体と絶縁膜の界面
８．絶縁膜中の電荷
９．ＩＧＦＥＴの記号と基本的な回路
１０．ＩＧＦＥＴの作り方（その１．フォトリソグラフィー）
１１．ＩＧＦＥＴの作り方（その２．不純物拡散）
１２．ＩＧＦＥＴの作り方（その３．ゲート絶縁膜の作製）
１３．ＩＧＦＥＴの作り方（その４．金属薄膜の作製）
１４．ＩＧＦＥＴの作り方（その５．金属薄膜のパターニング）
１５．まとめ
