電子デバイス／電界効果トランジスタ

８．まとめ

　電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）はシリコン系の絶縁ゲート電界効果トランジスタ（ＩＧＦＥＴ）が高度な集積化を達成し広く普及しましたが、これ以外にはあまり重要な役割を担うものがありませんでした。

　1990年代にⅢ－Ⅴ族化合物半導体を用いた高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）が発明され、さらに新しいⅢ－Ⅴ族として窒化物系のエピタキシャル成長が可能になりました。これによりＧａＮ系ＨＥＭＴの実現が可能になりました。

　ＧａＮ系ＨＥＭＴはＳｉ系ＩＧＦＥＴにはない高耐圧が期待できることから、高周波電力用として大きな期待が持たれ、すでに実用化も進んでいます。

　このようにＳｉ系ＩＧＦＥＴでは実現できない性能をもつＦＥＴが今後も実現することが期待されます。